一种实现真空灭弧室高效散热的高散热导体结构及其制备方法和应用

本发明公开了一种实现真空灭弧室高效散热的高散热导体结构及其制备方法和应用，属于真空灭弧室技术领域，该高散热导体结构由下向上依次包括：导体基体、NiCr打底层和陶瓷层，导体基体的表面为毛面层；NiCr打底层的厚度为30μm，陶瓷层中各成分的质量百分比为：氧化铝陶瓷粉末5%，氮化铝陶瓷粉末95%，氧化铝陶瓷粉末和氮化铝陶瓷粉末的纯度分别＞99.9%，粒度分别为75‑100μm，陶瓷层的厚度为150μm。本发明首次提出一种在真空灭弧室用高散热导体结构，可在不改变真空灭弧室结构和运动特性的条件下，实现灭弧室的高效散热，提升其通流能力，保证大容量真空开关的运行可靠性，促进大容量开关快速工程应用。