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Dossier
一种基于MOSFET级联H桥构网型变流器及其控制方法
InventionActive
9Claims · 2 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Applicant
中国电力科学研究院有限公司; 国网上海能源互联网研究院有限公司
Inventor
孙华东; 李文锋; 法炜; 夏广政; 张健; 牛耕; 艾东平; 王晖; 魏巍; 贾媛; 马世俊
IPC Classification
H02M 7/483 (2007.01)H02M 7/5387 (2007.01)H02M 1/00 (2007.01)H02J 3/38 (2026.01)H02J 3/0014 (2026.01)H02J 101/24 (2026.01)H02J 101/28 (2026.01)
本发明公开了一种基于MOSFET级联H桥构网型变流器及其控制方法。其中，基于MOSFET级联H桥构网型变流器，包括：MOSFET全桥子模块：采用全桥拓扑结构，用于输出“+1”、“0”、“‑1”三种电平；级联H桥整体架构：由三个桥臂构成，每个桥臂由N个的MOSFET全桥子模块级联而成；高频协同调制策略：用于控制级联H桥整体架构；构网型变流器控制策略：基于虚拟同步机原理，通过模拟同步发电机的转子运动方程及暂态电压方程，生成MOSFET全桥子模块所需的电压参考值及相位角参考值，并最终通过PWM发生器生成触发脉冲，控制MOSFET全桥子模块的动作。
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