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Dossier
一种基于碳化硅MOS管的中波多相调制放大器
InventionActive
10Claims · 1 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
陈广新; 孙天琪
IPC Classification
H03F 3/20 (2006.01)H03F 3/16 (2006.01)H03K 7/08 (2006.01)
本申请涉及一种基于碳化硅MOS管的中波多相调制放大器,包括依次设置的多相调制器电路以及功率放大器电路,其中:所述多相调制器电路用于接收多路独立的脉冲宽度调制信号,并对信号进行处理后传输到功率放大器电路;所述功率放大器电路包括由多个碳化硅MOS管组成的H桥电路,所述H桥电路通过交替导通对角线开关生成射频输出信号。本申请采用高性能碳化硅MOS管,在多相调制架构的协同下,突破传统方案的效率瓶颈,降低中波调制放大器的传导损耗,使系统效率提升,功耗降低,满足现阶段越来越高的需求标准。
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