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Dossier
具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法
InventionActive
20Claims · 3 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
刘威; 朱宏斌; 华子群; 江宁; 华文宇
IPC Classification
H10B 12/00 (2023.01)H10B 63/10 (2023.01)H10B 63/00 (2023.01)H10B 53/30 (2023.01)H10B 53/40 (2023.01)H10B 53/20 (2023.01)H10D 62/10 (2025.01)H10W 10/20 (2026.01)
在某些方面中,一种三维(3D)存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及第一半导体结构与第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括外围电路。第二半导体结构包括存储器单元阵列和耦合到存储器单元并且各自在垂直于第一方向的第二方向上延伸的多条位线。存储器单元中的每一个存储器单元包括在第一方向上延伸的垂直晶体管和耦合到垂直晶体管的存储单元。位线中的相应一条位线和相应存储单元在第一方向上耦合到存储器单元中的每一个存储器单元的相对端部。垂直晶体管中的在第二方向上的两个相邻垂直晶体管彼此镜像对称。存储器单元阵列经过键合界面耦合到外围电路。
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