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Dossier

半导体器件及其制造方法、电子设备

InventionActive
13Claims · 3 independent
§ Ⅰ

Dossier Overview

Inventor

邓学建; 李玉科; 王桂磊

IPC Classification

H10B 41/40 (2023.01)H10B 41/10 (2023.01)

本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件包括:多个功能区,阵列排布;多个密封区,每个密封区环绕一个功能区;多个切割区,每个切割区位于相邻密封区之间;密封区的键合焊盘包括沿功能区指向切割区的方向依次设置的键合密封环和散热结构;键合密封环和散热结构连接,散热结构用于半导体器件散热。本申请实施例能够提升半导体器件的键合性能。

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