一种半导体结构及其操作方法

本公开实施例提供了一种半导体结构及其操作方法，半导体结构包括：第一晶体管和第二晶体管位于衬底上且具有共用沟道区，第一晶体管至少包括第一栅极层和第一存储层，第二晶体管至少包括第二栅极层和第二存储层；第一延伸部和第二延伸部，分别位于共用沟道区在第一方向上的两端，第一延伸部与共用沟道区邻近第二栅极层一侧的端部连接，第二延伸部与共用沟道区邻近第一栅极层一侧的端部连接；共用沟道区和第一延伸部的掺杂类型相同，且与第二延伸部的掺杂类型相反；第一存储层的数据写入基于第一栅极层与参考电压的电压差在第一预设范围来实现，第二存储层的数据写入基于第二栅极层与参考电压的电压差在第二预设范围来实现。