制造半导体器件的方法以及半导体器件

本发明提供一种制造半导体器件的方法以及半导体器件，该方法包括：提供待处理器件，所述待处理器件包括器件区域和边缘区域；选择性在所述待处理器件的所述边缘区域顶面形成目标氧化层；在所述器件区域内需要形成接触孔的位置形成金属接触层；在所述待处理器件的顶面依次形成叠置的接触孔刻蚀阻挡层和金属前介质层；对所述金属前介质层和所述接触孔刻蚀阻挡层进行刻蚀，以形成与所述金属接触层位置对应的接触孔；在所述待处理器件的顶面形成接触孔粘附层。本发明在接触孔形成后，能够在器件边缘区域留有足量非金属介质层，避免后续边缘区域的接触孔粘附层产生鼓包并引发剥离缺陷。