半导体器件的制备方法及半导体器件

本发明提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，该方法：提供衬底并在衬底的顶面形成垫氧层；在衬底上形成STI；沉积氮化硅掩膜，并涂覆光刻胶层，将边缘区域的光刻胶层去除后，使用硅离子对边缘区域部分厚度的氮化硅掩膜进行改性处理；在氮化硅掩膜上光刻栅氧孔图形后，在垫氧层上形成栅氧孔，光刻完成后边缘区域顶面保留有氮化硅掩膜；在栅氧孔中生长栅氧化物，并去除氮化硅掩膜和垫氧层，完全后边缘区域的衬底顶面被暴露；在栅氧化物顶面形成栅极；在栅极的顶面、拟形成有源区的位置、以及边缘区域形成金属硅化物；在器件区域内形成与金属硅化物位置对应的接触孔；形成接触孔粘附层。本发明能够避免边缘区域的接触孔粘附层鼓包并引发剥离缺陷。