一种新型氮化镓HEMT器件

本发明涉及一种新型氮化镓HEMT器件，其中新型氮化镓HEMT器件包括半导体层、位于半导体层上方的第一栅极金属层；设置在半导体层、第一栅极金属层之间的栅极机构，栅极机构包括沿第一方向延伸的第一场板、第二场板、第三场板，第一场板位于半导体层的上方，第二场板位于第一场板的上方，第三场板位于在第二场板的上方；其中，第一场板与第二场板之间通过连接层相连，第二场板与第一栅极金属层之间通过多个第一过孔相连，第三场板与第一栅极金属层之间通过多个第二过孔相连；连接层沿垂直方向避让第一过孔、和/或第二过孔的位置设置。本发明可通过连接层避让第一过孔和第二过孔的设置，降低过孔的加工难度，避免连接层位置的凹陷影响过孔和对应元件的接触。