半导体器件及其制备方法

本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底、外延层、阱区、源区、第一绝缘层以及第一电极层；外延层设置于衬底沿厚度方向的一侧；阱区位于外延层内，源区位于阱区内；第一绝缘层设置于外延层背向衬底的一侧；第一电极层设置于第一绝缘层背向衬底的一侧，第一电极层包括汇集部以及至少两个分支部，各分支部连接于汇集部的同一侧，沿汇集部的延伸方向，分支部在衬底上的正投影与源区在衬底上的正投影交错设置；其中，阱区包括沿分支部延伸方向设置的第一子区和第二子区，第一子区在衬底上的正投影与第二子区在衬底上的正投影不交叠，汇集部在衬底上的正投影落入第一子区在衬底上的正投影范围内。