一种半导体结构及其形成方法

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括半导体衬底，半导体衬底具有第一区域，在半导体衬底上设置有第一CESL层，在第一区域的第一CESL层上设置有第二CESL层，在第一CESL层和第二CESL层上形成有层间介质层，第一区域设置有接触孔，接触孔贯通第二CESL层和第一CESL层，接触孔两侧均保留有所述第二CESL层。本发明通过设置双层的CESL层，第二CESL层围设在接触孔的侧壁上，使得电极间实现物理隔断，相邻两个电极之间的氮硅材料层被移除，仅在每个电极附近保留，使得第二CESL层在相邻两电极之间存在不连续型，从而使得电极间被氮硅材料层物理隔断，因此无电流导通路径，从根本上解决了漏电问题。