一种侧栅铁电可重构场效应晶体管及制备方法

本发明涉及半导体器件技术领域，提供一种侧栅铁电可重构场效应晶体管，该晶体管器件在绝缘层、上栅极和下栅极的侧面区域设置有铁电介电层，所述铁电介电层完全覆盖第一至第三绝缘层及侧面区域；所述铁电介电层侧面设置有Z形垂直沟道层，利用Z形垂直沟道结构，在提升集成电路面积效率的同时，通过延长沟道长度有效抑制短沟道效应，兼顾微型化与高性能，上、下两个分裂栅极可独立调控上下铁电畴取向，当二者极化状态相反时，沟道中形成可控PN或NP结，从而实现多样化可重构功能。