超结结构的制造方法

本发明公开了一种超结结构的制造方法，包括：提供第一导电类型掺杂的第一外延层并进行图形化刻蚀形成多个超结沟槽，由各超结沟槽之间的第一外延层组成第一导电类型柱。进行退火使第一导电类型柱的杂质沿超结沟槽的内侧表面外扩，以在第一导电类型柱的侧面区域处形成第一掺杂浓度降低区。在超结沟槽中填充第二导电类型掺杂的第二外延层，由填充于超结沟槽中的第二外延层作为第二导电类型柱的组成部分，利用第一掺杂浓度降低区降低第一导电类型柱和第二导电类型柱之间的PN反扩。本发明能减少PN柱之间的PN反扩，从而能使导通电阻得到保证的条件下，降低超结结构的整体掺杂剂量并从而增加工艺窗口。