提升穿通电压的高压集成电路隔离环结构及其制造方法

本发明提供一种提升穿通电压的高压集成电路隔离环结构，包括P型衬底、高压器件区和隔离环区。隔离环区包括P型埋层、分别位于该P型埋层两侧的两个N型埋层、以及位于该P型埋层和两个N型埋层下方的P型注入层，该P型注入层的掺杂浓度高于P型衬底。本发明通过在隔离环的埋层结构下方设置更高掺杂浓度的P型注入层，能够有效阻断P型衬底内的穿通电流路径，从而在不影响高压器件性能的前提下，显著提升隔离环的穿通电压，增强了集成电路的可靠性。