半导体器件结构及制造方法

半导体器件结构包括多个晶体管。多个晶体管的每个包括：具有第一掺杂类型的纳米结构，其中纳米结构在第一方向上延伸；栅极结构；第一源极/漏极区域；以及第二源极/漏极区域。半导体器件结构还包括第二纳米结构，第二纳米结构在第二方向上与多个晶体管偏移，其中第二纳米结构具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型。半导体器件结构还包括介电材料，介电材料与第二纳米结构直接接触。介电材料(1)在第二方向上与栅极结构或第一源极/漏极区域中的至少一个对齐；或(2)在第一方向上延伸一距离，距离等于或大于栅极结构、第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域的组合宽度。本申请的实施例提供了半导体器件结构及制造方法。