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Dossier

集成电路及其制造方法

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§ Ⅰ

Dossier Overview

Inventor

陈顗伊; 卢麒友; 陈志良; 巫承霖; 周雅琪

IPC Classification

H10D 84/85 (2025.01)H10D 84/01 (2025.01)

本发明的实施例提供了一种集成电路,包括第一和第二有源区、第一和第二接触件、第一导体和第一绝缘区。第一有源区在第一方向上延伸,位于衬底正面上方的第一层上,并且对应于第一组晶体管。第二有源区在第一方向上延伸,在第二层上,并且对应于第二组晶体管。第一接触件沿第二方向延伸,位于第三层,并与第一有源区重叠。第二接触件在第二方向上延伸,位于第四层上,与第二有源区重叠。第一导体在第一方向上延伸,位于第三层和第四层上,并且连接到第一接触件和第二接触件。第一绝缘区在第一导体的凹部内。本发明的实施例还提供了一种集成电路的制造方法。

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