键合晶圆及其制备方法

本发明提供了一种键合晶圆及其制备方法，包括：提供器件晶圆和支撑晶圆，器件晶圆的表面形成有氧化层；对器件晶圆依次执行氢离子注入工艺和氦离子注入工艺，以在器件晶圆中形成离子注入层，氢离子注入工艺的注入能量为Y，氦离子注入工艺的注入能量为Y，Y=(A/A)Y+(B‑A*B/A)，其中‑0.2<A<0.2，30<B<40，‑0.15<A<0.15，60<B<65；将器件晶圆和支撑晶圆键合以形成键合晶圆；沿离子注入层对键合晶圆执行剥离工艺，剥离后保留部分器件晶圆作为顶层硅层。本发明能够提高顶层硅层的厚度均一性，且降低顶层硅层的表面粗糙度。