一种异质结电池及其制备方法

本发明公开了一种异质结电池及其制备方法，属于太阳电池领域。该异质结电池包括硅衬底，硅衬底制绒后的表面由内至外依次设置有氧化硅‑非晶硅融合钝化层、本征硅种子层和本征硅主体层；氧化硅‑非晶硅融合钝化层包括氧化硅本体和非晶硅沉积物，氧化硅本体具有孔洞，至少部分孔洞中沉积有非晶硅沉积物；本征硅种子层中的非晶硅与氧化硅‑非晶硅融合钝化层中的非晶硅相同，本征硅种子层的致密度低于本征硅主体层的致密度。本发明提供的异质结电池能够有效提升开路电压及填充因子，有利于进一步提升电池的光电转换效率。