基于光电二极管的电子探测器、超快CMOS电子成像传感器

本发明涉及基于光电二极管的电子探测器、超快CMOS电子成像传感器，包括：像素阵列；像素阵列包括多个基本探测单元，每一个基本探测单元为纵向分布结构；每一个基本探测单元包括：探测层和像素电路层；探测层与像素电路层采用混合键合的方式连接；探测层包括：光电二极管阵列，每一个基本探测单元中包括：一个光电二极管和四个信号存储路径；每一个基本探测单元中的光电二极管与四个信号存储路径协同作用，将曝光期间的光信号转换为电压信号，实现分幅成像探测。本发明的电子探测器具备较高的时间分辨率和良好的信号响应能力，能够为高能物理实验中的超快成像与诊断提供有效技术支撑，可以实现在单个像素内部实现“零死区时间”探测。