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Dossier

一种半导体工艺设备

InventionActive
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§ Ⅰ

Dossier Overview

IPC Classification

H10F 71/00 (2025.01)H10P 32/12 (2026.01)H10P 72/00 (2026.01)H10P 95/00 (2026.01)

本申请提供了一种半导体工艺设备,包括:工艺管;多个进气管,用于向工艺空间导入工艺气体;第一匀流板,设置在工艺空间中,并将工艺空间分割为多个进气管所在的进气空间和容纳所述晶片的容置空间,第一匀流板支撑多个进气管,且多个进气管导入的工艺气体在第一匀流板的导流下能从进气空间均匀的进入到容置空间。此结构中,在工艺管内设置了第一匀流板,工艺气体通过进气管进入到工艺空间中以后,在第一匀流板的导向下均匀的进入到电池片所在的容置空间中,能使晶片所在的容置空间中的气场均匀性得到显著提升,并且还使第一匀流板对进气管进行支撑,无需再专门设置支撑部件,简化了半导体工艺设备的结构,降低了进气管的变形可能。

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