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Dossier
一种红外辐射光的背接触热光伏器件结构和制备工艺
InventionActive
10Claims · 3 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
王伟; 吴仕梁; 张凤鸣
IPC Classification
H10F 71/00 (2025.01)H10F 77/14 (2025.01)H10F 77/20 (2025.01)H10F 10/165 (2025.01)H10F 77/30 (2025.01)
本发明公开了一种红外辐射光的背接触热光伏器件结构和制备工艺,属于热光伏发电领域。一种背接触热光伏器件制作工艺,包括以下步骤:取P型衬底进行硼扩散,形成P+前场;刻蚀衬底背面部分的P+前场,以预留N区的形成区域;在衬底的背面沉积形成掺磷的纳米晶硅薄膜层;在衬底的背面或双面沉积形成叠层膜;在P区与N区的局部开模,其中,P区开模包括,打开叠层膜以及其下方的掺磷的纳米晶硅薄膜层;N区开模包括,打开叠层膜;在背面镀金属膜,以形成正负极;进行图形化,使得正极上的金属膜与负极上的金属膜隔离。与现有技术相比,本发明的背接触热光伏器件正面没有电极遮挡,增加正面受光,提升正面红外辐射光电转换效率;并且正面增加p+前场,背面P区金属接触区增加p+层,提升光生载流子的收集效率,降低接触区电阻,提升整个器件的热辐射光电转换效率。
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