一种三结量子阱太阳电池外延结构的制造方法

本发明公开一种三结量子阱太阳电池外延结构的制造方法，采用MOCVD工艺进行制造，首先在P型Ge衬底上进行n型磷扩散以形成第一子电池的pn结，接着在衬底上生长第一隧穿结，然后在第一隧穿结上生长第二子电池，随后在第二子电池上生长第二隧穿结，最后在第二隧穿结上生长第三子电池，所述第三子电池包括从下至上依次生长的AlGaInP背场层、量子阱基区、AlGaInP发射区和AlInP窗口层，所述量子阱基区由交替生长的GaInP层和（AlGa）InP层组成，其中，0.5≤x2≤0.6，0.5≤x3≤0.8，y3=0.5。本申请利用GaInP/AlGaInP量子阱结构作为顶电池材料，增加太阳电池的开路电压，且解决了AlGaInP/GaAs/Ge太阳电池短路电流不够的缺点。