一种低划伤背接触电池及其制备方法

本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种低划伤背接触电池及其制备方法，包括如下步骤：S2、在硅片背面依次形成第一半导体层和掩膜层；S3、背面进行刻蚀开口，形成第二半导体开口区；S4、制绒清洗；S5、在硅片正面依次形成第三半导体层和牺牲层；S6、对S5所得背面及第二半导体开口区进行槽式清洗，槽式清洗包括酸性溶液清洗、RCA清洗回洗，并在RCA清洗回洗中牺牲层被去除；S7、在背面沉积第二半导体层。本发明用槽式清洗方式取代链式清洗，能充分的去除背面绕镀层，并保护正面减反层不受腐蚀，不影响正面的减反效果，同时能避免硅片背面受机械损坏或污染，能提高整体钝化水平，减少背面划伤，提高填充因子和电池效率。