一种孔壁含氧化硅的硅片及加工方法与设备

本发明公开了一种孔壁含氧化硅的硅片及加工方法与设备，孔壁含氧化硅的硅片包括硅材料基片、预制孔及氧化层，其中：硅材料基片为单晶硅；预制孔开设于硅材料基片上，孔径或边长20‑500μm；氧化层覆盖于预制孔的孔壁表面，主要成分包含氧化硅，10‑500nm厚度的氧化硅氧化层，可在孔壁形成有效绝缘或防护屏障，且≤50nm的表面粗糙度能减少流体传输阻力或电荷积累，适配精密应用场景。氧化层为疏松结构或致密结构。预制孔洞结构由激光加工方法直接形成，且未经过清洗或后处理工艺；疏松结构适用于吸附、过滤等需高比表面积的场景，致密结构则能提供更优的绝缘、耐腐蚀性能，满足不同应用对孔壁功能的差异化需求，拓宽产品适用范围。