一种势垒可调的肖特基二极管及其制备方法

本发明属于半导体器件的技术领域，特别涉及一种势垒可调的肖特基二极管及其制备方法。本发明通过一种势垒可调的肖特基二极管，包括：第一金属电极、第二金属电极、有机半导体、势垒调节结构；所述第一金属电极和所述第二金属电极分别布置在所述有机半导体两侧，所述第一金属电极与所述有机半导体肖特基接触，所述第二金属电极与所述有机半导体欧姆接触；所述第一金属电极上均匀的分布有多个纳米级孔洞；所述势垒调节结构与所述第一金属电极远离所述有机半导体的一侧接触。解决了传统有机肖特基二极管难以通过外部信号对其电学性能进行动态调控的问题，实现了通过外部信号对肖特基二极管的势垒进行调节，使得肖特基二极管能够呈现多种电学性能。