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薄膜晶体管驱动结构及其制备方法

발명유효
1조회수
13청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

揭建胜; 吴晓峰; 张秀娟; 张晓宏; 黄达

IPC 분류

H10K 19/10 (2023.01)H10K 71/00 (2023.01)

本发明公开了一种薄膜晶体管驱动结构及其制备方法,所述薄膜晶体管驱动结构包括:基底;底电极,位于基底上;绝缘层,位于底电极上;顶电极,包括位于绝缘层上的第一电极、贯穿绝缘层且与底电极电性连接的第二电极、及位于绝缘层内的第三电极;有源层,位于绝缘层上且与第一电极和第二电极分别电性连接。本发明将有源层设于薄膜晶体管驱动结构的顶端,避免了绝缘层、像素电极等的制备过程对有源层的影响,提高了薄膜晶体管驱动结构的稳定性,降低了薄膜晶体管驱动结构的集成应用难度。