光电器件及其制备方法、光伏组件

本申请涉及光电器件及其制备方法、光伏组件。上述光电器件包括基底层、设置在基底层上的第一光电转换层以及设置在第一光电转换层远离基底层一侧的带隙调控层；其中，带隙调控层的热膨胀系数至少为第一光电转换层的热膨胀系数的4.5倍；或者，带隙调控层的热膨胀系数小于第一光电转换层的热膨胀系数。通过在第一光电转换层远离基底层的一侧设置带隙调控层，在无需调整光电转换层组成时，能够调控第一光电转换层的带隙，提高光电器件的光电性能。