一种基于环形自由层的线性TMR传感器

本发明提供了一种基于环形自由层TMR传感器。属于传感器技术领域，包括参考层、势垒层与环形自由层构成，通过构建拓扑约束的环形磁畴结构，实现自由层磁矩在外磁场作用下的可控偏转，与参考层形成精确的相对取向，从而提升磁性隧道结（MTJ）的线性响应性能。通过调节环形自由层的几何参数（如宽厚比、内外径比）以降低有效各向异性场，实现线性响应区间的扩展；同时，环形结构形成磁化闭合路径，有效降低退磁因子与杂散场，提升灵敏度与抗干扰能力。所述传感器采用磁控溅射结合微纳图形化工艺制备，并通过磁退火处理增强磁性各向异性。该传感器结构简单、性能优异，适用于高精度磁场检测场景。