氮化物半导体装置的制造方法

氮化物半导体装置的制造方法具有以下工序：准备包括沿着第一轴重叠的沟道层和阻挡层并且具有第一面的第一氮化物半导体层；在第一氮化物半导体层形成第一凹部和第二凹部；以及通过溅射法，在腔室内，在第一凹部形成包含镓和杂质的第二氮化物半导体层，在第二凹部形成包含镓和杂质的第三氮化物半导体层，形成第二氮化物半导体层并形成第三氮化物半导体层的工序具有反复进行以下工序的工序：一边将腔室内的压力维持在第一压力，一边向腔室内供给镓、杂质以及氮自由基；以及一边将腔室内的压力维持在比第一压力低的第二压力，一边停止镓和杂质的供给而向腔室内供给氮自由基。