一种在刻蚀过程中控制底层AlGaN的损失量的方法

本发明提供了一种在刻蚀过程中控制底层AlGaN的损失量的方法，所述方法包括以下步骤：（1）预处理过程：预清洁刻蚀腔体；（2）初始化过程：将待刻蚀晶圆放置到所述刻蚀腔体中的静电吸盘上，所述静电吸盘的温度是预设值，所述待刻蚀晶圆包括GaN层和AlGaN层，所述AlGaN层的厚度为第一厚度；（3）两步刻蚀过程：结合光学发射光谱法分步刻蚀所述待刻蚀晶圆，得到目标晶圆，所述目标晶圆上的所述AlGaN层的厚度为第二厚度，所述第二厚度与所述第一厚度的差值小于或等于损失阈值。本发明通过简单的工艺流程即可实现控制晶圆底层AlGaN的损失量。