处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及程序制品

本发明涉及处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及程序制品。课题是提供一种能够高效地进行衬底表面的蚀刻并提高生产率的技术。解决手段具有：(a)形成在处理容器内配置有制品衬底和含氮物的状态的工序；和(b)通过向配置有所述制品衬底和所述含氮物的状态的所述处理容器内供给含氟物质，从而利用通过使所述含氮物与所述含氟物质发生化学反应而产生的物质X来对所述制品衬底的表面进行蚀刻的工序。