一种去除晶圆腐蚀污迹与药液残留的方法

本发明公开了一种去除晶圆腐蚀污迹与药液残留的方法，具体涉及半导体制造技术领域，S1：预清洗处理、S2：主清洗序列、S3：靶向碱洗处理和S4：深度漂洗与干燥。本发明所述的一种去除晶圆腐蚀污迹与药液残留的方法，本发明主清洗阶段采用梯度HF、层流喷淋及电导率超5μS/cm自动换液的动态置换机制，保证批次清洗一致性，漂洗干燥环节通过三级阶梯漂洗配合旋转喷淋，结合真空干燥与干燥前10s形成的2‑5mm氮气气垫层，杜绝水痕、氧化、碳化等二次缺陷，保障晶圆结构完整性与清洗工艺稳定性。