一种半导体栅叠层制备装置及控制方法

本申请实施例提供一种半导体栅叠层制备装置及控制方法，半导体栅叠层制备装置包括转接部、多个工艺腔、晶圆片盒站和真空系统，所述转接部为正多边形结构，并在每个侧边设置有一个端口，多个所述工艺腔和所述晶圆片盒站分别设置在所述转接部不同的侧边并对应连接一个所述端口；所述转接部用于自所述晶圆片盒站获取晶圆并按照预设顺序转运至多个所述工艺腔，所述真空系统用于控制所述工艺腔在真空状态下对所述晶圆进行半导体栅结构的叠层设置，通过多端口的真空转接部将多个工艺腔体有机结合，避免栅叠层工艺过程中暴露在空气中，减少水蒸气与氧气对栅叠层界面的污染以提升栅介质的可靠性。