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Dossier
测试结构以及测试方法
InventionActive
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§ Ⅰ
Dossier Overview
Applicant
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司; 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor
郭俊男
IPC Classification
H10P 74/00 (2026.01)H10B 10/00 (2023.01)
一种测试结构及测试方法,测试结构包括:第一电信号加载线与第一子单元区的下拉晶体管的漏极侧电连接;第二电信号加载线与第一子单元区的传输门晶体管和下拉晶体管的源极侧电连接;第三电信号加载线与第一子单元区和第二子单元区的传输门晶体管的漏极侧电连接;第四电信号加载线与第一子单元区和第二子单元区的上拉晶体管的漏极侧电连接;第七电信号加载线与第一子单元区的下拉晶体管和传输门晶体管的衬底侧电连接;第十一电信号加载线与第二子单元区的上拉晶体管和下拉晶体管的栅极侧、以及与第一子单元区的源极侧电连接。能够获取测试结构的上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管各个部分的泄露电流值。
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