一种外延片及衬底处理方法

本申请公开了一种外延片及衬底处理方法，属于半导体制造技术领域。衬底处理方法，包括以下步骤：对衬底表面进行第一次刻蚀；在第一次刻蚀后的衬底表面进行沉积，形成本征层；对本征层进行第二次刻蚀，以去除覆盖于衬底表面的本征层，得到处理后的衬底；其中，第二次刻蚀的时间与平均刻蚀速率的乘积为S，沉积的时间与平均沉积速率的乘积为S，S与S的比值为（1~1.1）:1。第一次刻蚀可有效去除衬底表面的颗粒、轻微压伤及其他部分表面缺陷；本征层沉积能够填补前步刻蚀可能因过刻而产生的表面微观凹陷，从而提升衬底表面平整度；第二次刻蚀则旨在完全去除所沉积的含杂质的本征层，有效阻断杂质向后续外延层的传递。