沟槽隔离结构的形成方法

本发明涉及一种沟槽隔离结构的形成方法。所述形成方法中，先堆叠垫氧化层和氮化硅层于衬底上，并形成贯穿氮化硅层、垫氧化层以及部分衬底的隔离沟槽以及覆盖隔离沟槽内衬底表面的线氧化层，之后利用含氢等离子体对衬底进行等离子处理，使氮化硅层的上表面和侧表面形成Si‑NH键，再沉积隔离氧化物并进行平坦化工艺。通过形成Si‑NH键，可以抑制硅前驱体的附着，使隔离氧化物在氮化硅层表面的沉积速率减小，一方面可以避免隔离沟槽被过快封口，减小在隔离氧化物内部形成空洞和/或接缝缺陷的几率，另一方面有助于减小平坦化工艺前隔离氧化物上表面的高低起伏幅度，提升平坦化效果，有助于提升基于衬底形成的半导体器件的性能。