形成接触孔的方法、半导体器件及其制造方法

本发明提供一种形成接触孔的方法、半导体器件及其制造方法，形成接触孔的方法包括：提供前端器件，在器件顶面形成非金属缓冲层和氮化硅阻挡层；遮盖器件区域顶面；使用氢等离子体对边缘区域顶面的氮化硅阻挡层进行改性处理，得到改性层；使改性层氧化为第一氧化层；去除器件区域顶面的非金属缓冲层和氮化硅阻挡层；在拟形成接触孔的位置形成金属接触层；在前端器件的顶面形成接触孔刻蚀阻挡层和金属前介质层；在拟形成接触孔的位置对金属前介质层和接触孔刻蚀阻挡层进行刻蚀形成接触孔。本发明能够在接触孔形成后，在器件边缘区域留有足量非金属介质层，避免后续边缘区域的接触孔粘附层产生鼓包并引发剥离缺陷。