接触孔形成方法、半导体器件及其制备方法

本发明提供一种接触孔形成方法、半导体器件及其制备方法，该接触孔形成方法包括：提供包括器件区域和边缘区域的前端器件，并在器件顶面形成非金属缓冲层和氮化硅阻挡层，其中器件区域包括需要形成接触孔的第一区域；对边缘区域顶面的氮化硅阻挡层注入预设剂量的碳离子；通过湿法刻蚀去除第一区域顶面的氮化硅阻挡层和非金属缓冲层；在第一区域的拟形成接触孔的位置形成金属接触层；在器件顶面形成接触孔刻蚀阻挡层和金属前介质层；在拟形成接触孔的位置对金属前介质层和接触孔刻蚀阻挡层进行刻蚀，以形成接触孔。本发明能够在接触孔形成后，在边缘区域留有足量非金属介质层，避免后续边缘区域的接触孔粘附层产生鼓包并引发剥离缺陷。