一种半导体器件及其制造方法

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。该半导体制造方法包括：在半导体衬底上形成第一刻蚀阻挡层，使半导体衬底的连接金属结构与第一刻蚀阻挡层相接触；在第一刻蚀阻挡层形成第一沟槽并暴露连接金属结构；在第一沟槽内形成覆盖连接金属结构的牺牲结构；然后形成叠层结构并开设第三沟槽，使牺牲结构通过第三沟槽暴露；去除牺牲结构形成连接孔，使连接金属结构通过连接孔暴露。本发明提供的半导体器件及其制造方法，通过在连接金属结构上覆盖牺牲结构，然后去除该牺牲结构，保证了连接孔底部的尺寸，从而避免了半导体器件的深孔底部关键尺寸不足而影响半导体器件的可靠性及性能，进而提高半导体器件的制作良率。