一种高效散热的IGBT模组结构及制造工艺

本发明提出了一种高效散热的IGBT模组结构及制造工艺，高效散热的IGBT模组结构包括导热绝缘基座，自上而下包括上金属层、绝缘层和下金属层；相变均热板，包括密封连接的上壳板与下壳板，上壳板和下壳板之间设有真空腔，真空腔内设有吸液芯结构和相变工质；液冷板，内部设有流体流道；IGBT芯片，设置于上金属层表面的电路结构上；其中，下金属层与上壳板通过焊接直接连接，下壳板与液冷板直接接触。将导热绝缘基座作为IGBT芯片的基座，从而取代传统PCB板，能够充分利用导热绝缘基座的导热能力、抗热变形能力以及能够与相变均热板直接焊接的优势，以达到有效程度降低传热热阻的目的；下金属层与上壳板通过焊接直接连接，可以有效降低界面热阻；再者，下壳板与液冷板直接接触，能够降低相变均热板与液冷板之间的接触热阻；这三个层次的降热阻能够确保高功率芯片的高效散热。