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기록
一种碳化硅功率器件封装结构
발명유효
1조회수
10청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
吉炜; 罗好晖; 王炳辉
IPC 분류
H10W 40/47 (2026.01)H10W 40/22 (2026.01)H10W 76/63 (2026.01)H10W 74/10 (2026.01)H10W 76/67 (2026.01)H10W 42/00 (2026.01)
本发明公开了一种碳化硅功率器件封装结构,属于芯片封装技术领域,包括底板,底板的顶端设置有顶板,且顶板和底板之间设置有芯片本体,顶板的内部设置有散热机构,散热机构包括固定安装在顶板内部的冷却水管,顶板的内部设置有隔板,且吸附隔板位于冷却水管和芯片本体之间,吸附隔板的表面固定安装有多个导热块,顶板靠近芯片本体的内部设置有搅动组件,本发明一种碳化硅功率器件封装结构,通过“主动吸热‑强化传导‑动态散热”的三维散热体系,彻底解决传统封装散热效率低的问题。其中热量通过散热通道传递至吸热长管,通过热膨胀带动转杆转动,转杆带动螺旋叶轮旋转,加速螺旋状冷却水管内部冷却液循环流动,实现快速散热。