用于晶圆键合的半导体结构及其改善晶圆键合对准的方法

本发明公开了一种用于晶圆键合的半导体结构及改善晶圆键合对准的方法。所述半导体结构的键合标记包括依次堆叠的对比度增强层和第一介电层，且对比度增强层的光反射率高于第一介电层。所述方法利用该高对比度的键合标记结构实现晶圆的精确对准与键合。本发明通过在键合标记中引入高反射率的对比度增强层，例如氮化硅层，显著提高了标记的光学对比度，从而提升了键合设备的识别精度，减小了对准误差，降低了后续工艺风险，有效提高了产品良率。