半导体装置及其制造方法

半导体装置具备：基板；氮化镓层，设置于基板的非极性面上，具有在与c轴方向平行的第一方向上位于相互分离的位置且在与第一方向正交的第二方向上延伸的多个鳍部；电子供给层，设置于鳍部的Ga面；基底电极，在第二方向上位于源极叉指部与漏极叉指部之间，在第一方向上与电子供给层对置；以及第一绝缘膜，设置于栅极电极与电子供给层之间。