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用于二次取向控制的选晶器、选晶方法及蜡模组件

발명알 수 없음
10청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

俞泽丰; 谢维; 张龙飞; 袁磊

출원일

Aug 19, 2026

공개일

Oct 16, 2026

IPC 분류

B22C 7/02 (2006.01)C30B 35/00 (2006.01)

本申请公开了一种用于二次取向控制的选晶器,属于单晶铸件精密铸造技术领域,其包括沿定向凝固生长路径依次连通的第一引晶段、二次引晶段和选晶段;第一引晶段为具有厚度方向的棱柱状结构;二次引晶段位于第一引晶段与选晶段之间,并相对于第一引晶段的高度方向倾斜延伸,且具有与第一引晶段相对应的厚度方向;选晶段用于筛选单个晶粒。本申请通过二次引晶段使柱状晶沿倾斜延伸方向继续竞争生长,从而对柱状晶中与厚度方向相对应的二次取向进行筛选,实现单晶铸件二次取向控制。