硅片及硅片切割方法

本公开提供一种硅片及硅片切割方法，硅片包括第一切割面，第一切割面包括棱边，以及靠近棱边的外周部分和位于外周部分背离棱边一侧的中心部分；外周部分包括防崩部，防崩部至少包括第一构造面，第一构造面与第一切割面所在的平面相交。可使得作用在防崩部上的外力分散成多个方向，以缓释外力，减少硅片被外力导致的碎裂。由于硅片切割完成之后，操作人员在取出或放置硅片时通常接触的是硅片的棱边附近，因此，在硅片靠近棱边的位置设置防崩部，可通过防崩部的特殊构造，缓释外力，有效减少崩边或隐裂。