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Dossier

三氯硅烷的纯化系统和多晶硅的制造方法

InventionUnknown
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§ Ⅰ

Dossier Overview

Inventor

岸亮太; 石田昌彦; 祢津茂义

Filing Date

Sep 28, 2017

Publication Date

Oct 16, 2026

IPC Classification

C01B 33/107 (2006.01)C01B 33/03 (2006.01)

本发明涉及三氯硅烷的纯化系统和多晶硅的制造方法。本发明提供一种三氯硅烷的纯化技术,在由含有烃类的氯硅烷馏分纯化出高纯度三氯硅烷时,无需将大量的氯硅烷排出至体系外,并且也能够容易地进行反应控制。本发明中,为了使氯硅烷馏分中含有的烃类的分离变得容易,在纯化系统中设置通过热解进行低沸点化的工序。由此,在三氯硅烷的纯化循环中进行基于烃类的热解的低沸点化和分离,无需将大量的氯硅烷类排出至体系外。其结果,三氯硅烷的制造效率提高,也不会产生多晶硅的收率降低的问题。

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