一种碳化硅外延层制备方法

本发明实施例提供了一种碳化硅外延层制备方法，涉及半导体技术领域，具体方案如下：刻蚀碳化硅衬底；生长缓冲层于所述碳化硅衬底的上表面；在1600℃～1650℃下通入氢气对所述缓冲层进行持续1min～3min的刻蚀；在1500℃～1550℃下通入氩气进行持续1min～3min的吹扫；重复所述刻蚀和吹扫的步骤，直至完成m次所述刻蚀和吹扫，2≤m≤6；生长外延层于所述缓冲层的上表面；降温并取样。应用本发明实施例提供的方案可以减少外延层的缺陷，提高外延层晶体质量。