一种采用无机粉体在碳质基底表面制备超长SiC纳米线的方法

本发明公开了一种采用无机粉体在碳质基底表面制备超长SiC纳米线的方法。该方法将碳质基底浸泡于金属盐催化剂溶液后置于一氧化硅粉体上，在氩气保护下热处理，规避了传统工艺中繁琐的混粉与预处理工序，显著简化流程、降低设备要求，提升制备效率与成本效益。通过金属盐催化剂诱导气‑液‑固生长机制，实现纳米线在基底表面的原位生长，确保产物为高结晶度立方晶型3C‑SiC。一氧化硅粉体直接提供反应源，制备出表面光滑、直径均一、超高长径比的超长纳米线，从根本上克服传统工艺制备载流子迁移率低的瓶颈，实现高效、低成本、高质量的超长3C‑SiC纳米线可控制备。