一种用于半导体晶圆产线静电测量的原位传感器及方法

本发明提供一种用于半导体晶圆产线静电测量的原位传感器及静电测量方法，涉及传感器技术领域。包括：基底层、电路层和保护层依次叠放设置，形成载体；且保护层覆盖于电路层上方；电路层与保护层之间设有1个参考电极、多个静电感应电极、信号处理模块和存储模块；多个静电感应电极分布在电路层的不同空间位置，用于分别在不同空间位置同步采集得到相应的静电场电位信号；信号处理模块，用于基于各静电场电位信号和参考电极的参考电位信号，分别计算得到各空间位置对应的静电电压；并计算得到各空间位置对应的静电场强度，以及添加相应的时间和/或制程阶段标记；存储模块，用于存储静电场强度，以及相应的时间和/或制程阶段标记。