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Dossier

一种阻隔ITO膜及其制备方法和应用

InventionUnknown
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8Claims · 3 independent
§ Ⅰ

Dossier Overview

Inventor

辜勇

Filing Date

Jul 21, 2026

Publication Date

Oct 16, 2026

IPC Classification

H01B 5/14 (2006.01)C23C 14/08 (2006.01)H01B 13/00 (2006.01)H05K 9/00 (2006.01)C09D 133/14 (2006.01)C09D 7/61 (2018.01)G02F 1/1343 (2006.01)G02F 1/1333 (2006.01)G02F 1/13357 (2006.01)C23C 14/35 (2006.01)

本发明涉及功能薄膜与微电子封装技术领域,尤其涉及一种阻隔ITO膜及其制备方法和应用,所述膜从下至上依次包括基板、底层ITO、金属导电层、智能响应复合阻隔层、缓冲层和顶层ITO。其中,智能响应复合阻隔层由聚(磺基甜菜碱甲基丙烯酸酯)水凝胶与均匀分散其中的MXene纳米片经紫外光固化交联形成,其制备方法包括:在沉积有金属层的基板上,涂布复合浆料并经干燥、紫外固化形成智能响应层,再依次沉积氧化铝缓冲层与顶层ITO,本发明利用两性离子水凝胶的离子束缚与溶胀特性,协同MXene的物理阻隔与导电性,在显著提升薄膜耐电化学腐蚀性与可靠性的同时,首次赋予了其基于电阻变化的失效早期智能预警能力。

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